FRAM技术应用将为RFID发展带来哪些改变？

文章来源：网络 发布时间：2016-08-10 访问量：人

　　FRAM即铁电存储器，是利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。 　　FRAM在物联网、医疗电子、消费电子、工业电子等应用领域几乎无处不在。此类存储市场空间巨大，但作为FRAM的竞争技术，EEPROM以先行者的优势抢先占有了绝对的市场份额。在RFID行业中EEPROM非易失性存储器，已经得到了广泛应用。那么作为后来者，仰或是EEPROM存储技术的颠覆者的潜力股FRAM究竟有哪些优势和竞争实力呢?
　　“‘多’、‘快’、‘省’是FRAM特点的形象概括。‘多’指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态;‘快’指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性，这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;‘省’指的是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1,000)特性，特别是写入时无需升压。”
　　FRAM技术的优势，给RFID技术带来不曾有过的顽强活力，让RFID应用市场更加开阔。随着物联网时代来临，FRAM RFID必将得到更广泛应用。